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来源:Digitimes Asia半导体行业传统上是在纳米尺度上进行的,而现在正将边界推向更小的“埃”尺度(十分之一纳米),中国台湾国立成功大学的一支创新团队已经制作出自组装设备,实现了这一前所未有的精度。他们的突破性方法可以使纳米凹槽内的微小半导体分子自动有序排列。突破瓶颈成大材料系助理教授徐邦昱
来源:通州政府网7月19日上午,松煜科技(南通)有限公司光伏、半导体设备及零部件制造项目举行开工仪式。松煜科技(南通)有限公司成立于2023年12月,主要从事太阳能工艺设备、半导体工艺设备、工艺炉热工设备的研发、生产及销售。此次开工的一期项目总投资2亿元,总建筑面积约2.2万平方米,致力于打造高端装
来源:III-V EPi分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构,以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中,III
来源:Silicon SemiconductorSkyWater位于明尼苏达的工厂旨在拥有世界上最先进的200毫米光刻技术。SkyWater Technology已从 Multibeam Corp. 获得首款用于批量生产的多柱电子束光刻 (MEBL) 系统。Multibeam (MB) 平台是半导体
转自:北京亦庄7月25日,北京经济技术开发区(北京亦庄)碳化硅功率芯片IDM企业——北京芯合半导体有限公司(以下简称“芯合半导体”)发布自主研发生产的SiC SBD(碳化硅二极管)、SiC MOSFET(碳化硅三极管)两个系列的多款碳化硅功率器件,为半导体产业发展注入“芯”动力。作为用来控制电流的重