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2025 /06/ 08

kaiyun全站网页版登录-超快存储闪存技术在产业化道路上迈出重要一步复旦大学团队实现纳秒编程闪存规模集成和8纳米极限微缩

人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。记者从复旦大学获悉，该校周鹏-刘春森团队在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。北京时间8月12日下午，相关成果以“二维超快闪存的规模集
2025 /06/ 08

kaiyun全站网页版登录-等离子键合PDMS-玻璃微流控芯片

微流控芯片系统（Microfluidic Chip System）如图1所示，又称为芯片实验室（Labona Chip），是一种通过在微米尺度上操纵流体流动，继而进行各种生化分析的实验平台，该平台一般只有几平方厘米大小，可实现规模的集成化，达到多种分析同时进行的效果。微流控芯片技术一般是指利用微尺度
2025 /06/ 07

kaiyun全站网页版登录-AI技术如何助力半导体失效分析？

来源：蔡司显微镜黄承梁随着显微镜技术的发展，半导体用户对显微镜的需求已经不仅仅停留在微观结构的成像上，而是希望通过硬件和软件方案的相结合，提高失效分析（FA）的效率、准确率，并尽可能的减少人工操作带来的不确定性。为此，蔡司提供客制化的软件解决方案，利用AI技术，在分类（classification）
2025 /06/ 07

kaiyun全站网页版登录-中科院上海微系统所Nature+1：用于二维集成电路的单晶栅介质！

来源：原子创意研究背景近年来，随着硅场效应晶体管（FETs）在缩放方面接近其基本极限，新一代半导体通道材料的需求变得尤为迫切。二维材料（2D）如二硫化钼（MoS2），因其原子级薄厚度和高载流子迁移率，显示出在未来晶体管中的巨大潜力。然而，尽管2D材料具备优越的物理和电学特性，适用于它们的高质量介电
2025 /06/ 07

kaiyun全站网页版登录-使用高精度晶圆键合的高密度3D闪存为存储带来新价值

来源：铠侠,BiCS FLASH 3D闪存的特点- EE Times随着人工智能（AI）和数字化转型（DX）导致数据呈指数级增长，NAND闪存已成为一项越来越重要的技术。铠侠株式会社的第八代BiCS FLASH 3D闪存现已量产，它依赖于一种称为CMOS直接键合到阵列（CBA）的新技术。CBA由两个